固體徑跡蝕刻測量係統 —氡中子輻射

DNS-1固體(ti) 徑跡蝕刻測量係統

產(chan) 品介紹

DNS-1固體(ti) 徑跡蝕刻測量係統是一款全自動的,高性能的固體(ti) 徑跡分析係統，可用來進行氡濃度和中子劑量測量。對γ射線、β射線不靈敏。徑跡分析單元采用高性能的Nikon光學器件,3D機動控製係統，可快速/精確地分析批量的探測器。

產(chan) 品特點

v n全自動分析批量探測器，單次可讀取64片探測器（1cm×1cm），單次分析數量連續可調

v n全自動校正響應衰變

v n本底低探測限可達5 kBq/m³，高探測限可達15 MBq/m³

v n線性度好於(yu) 3%

v n具有自動分辨氡/釷的能力

v n全自動讀出ID號

v n自動對焦，高性能成像技術，可區分蝕刻徑跡和本底

v n可全自動讀取徑跡探測器信息，包括自動識別探測器編碼、自動測量探測器徑跡計數、自動識別有效徑跡、標記徑跡的絕對位置

v n徑跡讀數自動轉換成劑量，結果保存在數據庫中，還可把數據導出到Excel表中

DNS-1固體徑跡蝕刻測量係統技術參數

蝕刻單元

v n蝕刻溶液：6.25mol/L氫氧化鈉溶液

v n蝕刻溫度：95℃

v n蝕刻時間：<5小時

v n單次最大蝕刻數量：≥250個(ge) （1cm*1cm，CR-39），蝕刻數量連續可調

v n蝕刻速率：蝕刻溫度為(wei) 98 ℃時，速率為(wei) 10μm/h

v n自動控製整個(ge) 化學蝕刻過程，並顯示當前工作狀態

v n腔體(ti) 采用堅固耐用抗腐蝕的高強度材料

分析單元

v  徑跡分析單元采用高性能的Nikon光學器件,步進電機為(wei) 3D機動控製係統，垂直水平方向精度可達0.1mm，可對相機運行進行編程

v n可自動識別徑跡，並自動扣除本底信號

v n可建立探測器徑跡數據庫並查看和計算測量結果

v 實時顯示相機圖像，並將掃描數據轉換為(wei) 劑量值，數據可輸出至其他軟件,如Excel

v n可通過軟件實時顯示識別圖像及徑跡位置

v n每個(ge) 探測器徑跡圖像以圖片形式存，可通過軟件進行徑跡位置、徑跡形態、徑跡數量等數據分析，可人工進行徑跡數據進行有效性判定。

v n可掃描各種尺寸的CR39探測器

v n當徑跡密度大於(yu) 1000計數/cm²,其測量重複性誤差小於(yu) 1%

v n線性：≤4%

v n重複性：≤1%

v n識別本底：0.5tracks/mm²

v n探測限:對於(yu) 氧測量，5Bq/m3~ 15MBq/m3:對於(yu) 中子劑量測量，其劑量下限小於(yu) 0.25mSv (相對不確定度≤25%)

v n放大倍數：≥100倍

v n徑跡識別密度：≥160 tracks/mm²

v n徑跡分析區域：≥80mm²（1cm×1cm，CR39）

v n探測器分析時間：≤30s（1cm×1cm，CR39）

v n連續工作能力：≥150chips/h（1cm×1cm，CR39）

v n進行二次分析和統計

v n測量結果可輸多種文件格式

v n電源：220V 50Hz

氡探測器

v n材料：CR-39

v n照射時間：3個(ge) 月或更長

v n本底：少於(yu) 20 tracks /cm^-2

v n不確定度：小於(yu) 1 Bq m^-3

中子探測器

v n材料：CR-39

v n探測下限：20 mSv

v n精確度：±12.6% (100 mrem~3.400 mrem)

v n準確度：0.7%(100 mrem~3.400 mrem)

v n快中子能量範圍：200 keV~15 MeV

v n厚度：1.5mm